半導體產品的工藝流程主要包括晶圓制造和封裝測試，加工工序多，所需材料復雜。晶圓生產線可以分為擴散、光刻、濕法蝕刻、離子注入等多個獨立的生產區域；封裝測試工藝可分為背面減薄、晶圓切割、貼片等步驟。硅晶圓是制造半導體芯片的基本材料，它是硅元素加以純化，經過一系列程序將多晶硅拉出單晶硅棒，然后切割、打磨、拋光得到晶圓片。

       在此硅晶圓制備環節中，英格索蘭氣動隔膜泵隔主要用于晶圓片的打磨、拋光和清洗液的收集，考慮溶液化學特性，主要使用聚丙烯材質的英格索蘭隔膜泵。

       而在半導體的工藝段中，ARO隔膜泵主要應用于濕法蝕刻環節和封裝測試環節，接下來我們主要介紹濕法刻蝕環節和封裝測試的具體操作及應用。

 
       濕法刻蝕就是將晶片置于液態的化學腐蝕液中進行腐蝕，在腐蝕過程中，腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學反應逐步浸蝕溶掉。用于化學腐蝕的試劑很多，有酸性腐蝕劑，堿性腐蝕劑以及有機腐蝕劑等。根據所選擇的腐蝕劑，又可分為各向同性腐蝕和各向異性腐蝕劑。各向同性腐蝕的試劑很多，包括各種鹽類(如CN基、NH 基等)和酸，但是由于受到能否獲得高純試劑，以及希望避免金屬離子的玷污這兩個因素的限制，因此廣泛采用HF—HNO3腐蝕系統。英格索蘭隔膜泵在濕法蝕刻環節中主要用于卸料和中間段的輸送,輸送HF、KOH 等酸堿液。

       封裝測試是指將通過測試的晶圓按照產品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后被切割為小的晶片（Die），然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細的金屬（金錫銅鋁）導線或者導電性樹脂將晶片的接合焊盤（Bond Pad）連接到基板的相應引腳（Lead）,并構成所要求的電路；然后再對獨立的晶片用塑料外殼加以封裝保護。英格索蘭氣動隔膜泵主要應用在硅片的背面減薄環節中，該環節涉及磨削，研磨，化學機械拋光，干式拋光，電化學腐蝕，濕法腐蝕，等離子增強化學腐蝕，常壓等離子腐蝕等，隔膜泵可用于酸堿的輸送和研磨液的收集。