半導(dǎo)體產(chǎn)品的工藝流程主要包括晶圓制造和封裝測試，加工工序多，所需材料復(fù)雜。晶圓生產(chǎn)線可以分為擴(kuò)散、光刻、濕法蝕刻、離子注入等多個獨(dú)立的生產(chǎn)區(qū)域；封裝測試工藝可分為背面減薄、晶圓切割、貼片等步驟。硅晶圓是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料，它是硅元素加以純化，經(jīng)過一系列程序?qū)⒍嗑Ч枥鰡尉Ч璋簦缓笄懈睢⒋蚰ァ伖獾玫骄A片。

       在此硅晶圓制備環(huán)節(jié)中，英格索蘭氣動隔膜泵隔主要用于晶圓片的打磨、拋光和清洗液的收集，考慮溶液化學(xué)特性，主要使用聚丙烯材質(zhì)的英格索蘭隔膜泵。

       而在半導(dǎo)體的工藝段中，ARO隔膜泵主要應(yīng)用于濕法蝕刻環(huán)節(jié)和封裝測試環(huán)節(jié)，接下來我們主要介紹濕法刻蝕環(huán)節(jié)和封裝測試的具體操作及應(yīng)用。

 
       濕法刻蝕就是將晶片置于液態(tài)的化學(xué)腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，在腐蝕過程中，腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學(xué)反應(yīng)逐步浸蝕溶掉。用于化學(xué)腐蝕的試劑很多，有酸性腐蝕劑，堿性腐蝕劑以及有機(jī)腐蝕劑等。根據(jù)所選擇的腐蝕劑，又可分為各向同性腐蝕和各向異性腐蝕劑。各向同性腐蝕的試劑很多，包括各種鹽類(如CN基、NH 基等)和酸，但是由于受到能否獲得高純試劑，以及希望避免金屬離子的玷污這兩個因素的限制，因此廣泛采用HF—HNO3腐蝕系統(tǒng)。英格索蘭隔膜泵在濕法蝕刻環(huán)節(jié)中主要用于卸料和中間段的輸送,輸送HF、KOH 等酸堿液。

       封裝測試是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過程。封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后被切割為小的晶片（Die），然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應(yīng)的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細(xì)的金屬（金錫銅鋁）導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹脂將晶片的接合焊盤（Bond Pad）連接到基板的相應(yīng)引腳（Lead）,并構(gòu)成所要求的電路；然后再對獨(dú)立的晶片用塑料外殼加以封裝保護(hù)。英格索蘭氣動隔膜泵主要應(yīng)用在硅片的背面減薄環(huán)節(jié)中，該環(huán)節(jié)涉及磨削，研磨，化學(xué)機(jī)械拋光，干式拋光，電化學(xué)腐蝕，濕法腐蝕，等離子增強(qiáng)化學(xué)腐蝕，常壓等離子腐蝕等，隔膜泵可用于酸堿的輸送和研磨液的收集。